UNI2113S

UNI2113S是高电压、高速，功率 MOSFET 和 IGBT 驱动芯片，具有独立的高侧和低侧参考输出通道， 专有的 HVIC 和互锁 CMOS 技术，以实现可靠耐用的单项结构。 逻辑输入兼容标准 CMOS 或 LSTTL 输出，低至 3.3V 逻辑。 输出驱动级具有高脉冲电流缓冲级，专为最小驱动级交叉传导而设计。浮动通道可用于驱动高侧配置中的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT，工作电压高达 600 伏。

UNI2113S是高电压、高速，功率 MOSFET 和 IGBT 驱动芯片，具有独立的高侧和低侧参考输出通道， 专有的 HVIC 和互锁 CMOS 技术，以实现可靠耐用的单项结构。 逻辑输入兼容标准 CMOS 或 LSTTL 输出，低至 3.3V 逻辑。 输出驱动级具有高脉冲电流缓冲级，专为最小驱动级交叉传导而设计。浮动通道可用于驱动高侧配置中的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT，工作电压高达 600 伏。主要特点• 专为自举操作设计的浮动通道 •完全运行时的电压高达 +600V • 容许负瞬态电压高,不受dV/dt干扰•栅极驱动电源范围为 10V 至 20V • 双通道欠压锁定 •3.3V逻辑兼容 •独立的逻辑供电电压范围为3.3V到20V •逻辑和电源接地 +/- 5 V 偏移 • 具有下拉的CMOS施密特触发输入• 逐周期边缘触发关断逻辑 •双通道的匹配传播延迟应用指导