U5116S是可以完全运行至 +280V，是高压、高速功率MOSFET和 IGBT 驱动器，具有独立的高低侧参考输出通道，逻辑输入兼容标准CMOS 或 LSTTL 输出，低至 3.3V 逻辑。输出驱动级具有高脉冲电流缓冲级，专为最小驱动级交叉传导而设计。 浮动通道可以用于驱动 N 沟道功率 MOSFET 或高压侧配置中的 IGBT，工作电压高达 280 伏。
U5116S是可以完全运行至 +280V，是高压、高速功率MOSFET和 IGBT 驱动器，具有独立的高低侧参考输出通道，逻辑输入兼容标准CMOS 或 LSTTL 输出，低至 3.3V 逻辑。输出驱动级具有高脉冲电流缓冲级，专为最小驱动级交叉传导而设计。 浮动通道可以用于驱动 N 沟道功率 MOSFET 或高压侧配置中的 IGBT，工作电压高达 280 伏。主要特点• 集成 DBOOT(FR107) • 专为自举操作设计的浮动通道 •完全运行时的电压高达+280V•容许负瞬态电压高,不受dV/dt干扰 •栅极驱动电源范围为 7V 至 20V •欠压锁定•3.3V、5V和15V逻辑输入兼容 •防止交叉传导逻辑 • 双通道的匹配传播延迟应用指导
