U3116D 完全运行至 +300V 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入兼容标准 CMOS 或 LSTTL 输出，低至3.3V 逻辑。输出驱动级具有高脉冲电流缓冲级，专为最小驱动级交叉传导而设计。 浮动通道可用于驱动工作电压高达 300 伏的高侧配置中的 N 通道功率 MOSFET 或 IGBT。
U3116D 完全运行至 +300V 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入兼容标准 CMOS 或 LSTTL 输出，低至3.3V 逻辑。输出驱动级具有高脉冲电流缓冲级，专为最小驱动级交叉传导而设计。 浮动通道可用于驱动工作电压高达 300 伏的高侧配置中的 N 通道功率 MOSFET 或 IGBT。主要特点• 专为自举操作设计的浮动通道 • 完全运行时的电压高达 +600V • 容许负瞬态电压高,不受dV/dt干扰• 栅极驱动的电源范围为 8 至 20V • 欠压锁定 • 3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容•防止交叉传导逻辑 • 双通道的匹配传播延迟 应用指导
