U2106C 完全运行至 +600V 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相关的高端和低端参考输出通道。逻辑输入兼容标准 CMOS 或 LSTTL 输出，逻辑低至3.3V。 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，专为最小化驱动器交叉传导而设计。 浮动通道可用于驱动工作电压高达 600 伏的高侧配置中的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT。
U2106C 完全运行至 +600V 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相关的高端和低端参考输出通道。逻辑输入兼容标准 CMOS 或 LSTTL 输出，逻辑低至3.3V。 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，专为最小化驱动器交叉传导而设计。 浮动通道可用于驱动工作电压高达 600 伏的高侧配置中的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT。主要特点• 内置自举二极管 • 专为自举操作设计的浮动通道 • 完全运行时的电压高达 +600V• 容许负瞬态电压高,不受dV/dt干扰 •栅极驱动电源范围为 4.8 至 20V •欠压锁定 •3.3V、5V 和 15V逻辑输入兼容 • 防止交叉传导逻辑 •双通道的匹配传播延迟应用指导
